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Discovery系列高端设备

DISC-IBE-150C/200C型: 负角度刻蚀降低反污染,热态、冷态两种中和系统,腔体前后开门

名称:DISC-IBE-150C/200C型: 负角度刻蚀降低反污染,热态、冷态两种中和系统,腔体前后开门

详细信息

应用方向:科研与教学

产品优势:负角度刻蚀降低反污染,热态、冷态两种中和系统,刻蚀腔体前后开门

产品配置:

★离子源种类:考夫曼离子源

★离子源口径:Φ160mm/220mm

★中和方式:灯丝、冷态等离子体桥

★样片数量及尺寸:1片Φ100mm/150mm样品

★刻蚀材料:包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

★刻蚀腔体:高真空系统

★刻蚀不均匀性:±3%-±6%

★刻蚀速率:10-500nm/min(视具体材料与工艺)

★工作台:可旋转,可自传,可调距离,包含水冷

★工艺气路:1-2路

★束流检测:法拉第筒在线检测

★终点检测控制:可选配质谱仪

★操作模式:全自动+半自动控制

选型参考:DISC-IBE-150C(离子源口径160mm);DISC-IBE-200C(离子源口径220mm)

设备详细结构与功能,请咨询销售工程师。

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